SanDisk(闪迪)宣布，已于去年底开始投产19nm新工艺的nand闪存芯片，并对此工艺所能带来的更好性能、更低成本寄予厚望。sandisk CEO Sanjay Mehrotra在财务会议期间对分析人士表示：“我们在(2011年)第四季度开始了19nm技术(NAND闪存芯片)的生产，将在2012年全面量 产。”
他同时也强调了新工艺面临的难题，那就是技术难度日渐提高，对节约成本的贡献却没那么大了：“正如我们之前解释过的，NAND闪存工艺越来越复杂，技术转换所带来的成本节省幅度也越来越小。19nm所能产生的成本降低幅度就会低于24nm。”
据披露，SanDisk正在使用19nm工艺制造2bpc MLC NAND、3bpc TLC NAND闪存芯片。具体良品率未公开，只是说正在按预期增加SanDisk的容量产能。
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